домашней и учрежденческой беспроводной информационно-управляющей сети, в автомобильных радарах для автоматической парковки, предупреждения столкновений и автопилотирования. Подпрограмма предусматривает мероприятия по разработке: технологии производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов группы A3B5, объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X диапазона; базовой технологии производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных интегральных систем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур; базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральныхсхем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний-германий"; базовой технологии изготовления сверхвысокочастотных транзисторов и интегральных схем на широкозонных материалах; базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X, C, S, L и P диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью; базовых технологий производства и конструктивного ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов; технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и монолитных интегральных систем X, C, S, L и P диапазонов для их массового производства;
163,5 ------- 109 118 ------ 80 152 ------ 104 создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2013 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 5. Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральныхсхем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" 149,257 ----------- 101,7 85,757 --------- 59,7 63,5 ------ 42 создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии 6. Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний
на 30 процентов снизило массу крыла и в 1,5 - 2 раза увеличило ресурс высоконагруженных элементов конструкции самолета; впервые в России разработаны конструкция, базовый технологический маршрут и технологические процессы изготовления монохромных электролюминесцентных полимерных плоских индикаторов (экранов) с высокими функциональными характеристиками, не уступающие лучшим мировым образцам, маршрутные технологии сверхбольших интегральныхсхем уровня 0,5 мкм, создан 6-координатный станочный модуль бездефектного микрошлифования электронных материалов; разработаны и экспериментально подтверждены принципиальные технологические основы создания полупроводниковых и твердотельных лазеров с диодной накачкой и их элементной базы; разработаны основы технологии создания геоинформационных систем нового поколения на основе сложноструктурированных баз данных дистанционного зондирования и принципов виртуальной реальности; созданы технологии производства прецизионных реакторных и конструкционных материалов на основе циркония для оболочек твэлов и других элементов и узлов действующих и разрабатываемых реакторов атомных электростанций, позволяющие увеличить срок службы и повысить безопасность атомных электростанций; разработаны базовые основы экологически безопасной технологии очистки оружейного плутония, включая иммобилизацию высокоактивных отходов в минералоподобные матричные системы,
назначена судебная экспертиза, производство которой поручено ФБУ РФЦСЭ. Перед экспертами были поставлены следующие вопросы: 1. Возможно ли расширение тестовой системы контроля интегральных схем и дискретных полупроводниковых компонентов на основе системы контрольно- измерительной тестера СБИС FORMULA HF3-512, ФРМИ.411739.007, заводской номер 224, до 1024 аналогово/цифровых каналов ввода/вывода? 2. Подпадает ли порядок расширения тестовой системы контроля интегральныхсхем и дискретных полупроводниковых компонентов на основе системы контрольно-измерительной тестера СБИС FORMULA HF3-512, ФРМИ.411739.007, заводской номер 224, предлагаемый ЗАО «ИЛФОРМ» в объяснениях эксперту от 05.02.2015 и от 26.02.2015, под определение термина «модернизация», приведенное в ГОСТе «Р50-605-80-93 Система разработки и постановки продукции на производство . Термины и определения»? Что означает «расширение» оборудования, и чем оно отличается от «модернизации» оборудования? 3. Содержит ли тестовая система контроля интегральных схем и дискретных полупроводниковых компонентов на основе системы контрольно-измерительной тестера СБИС FORMULA HF3-512, ФРМИ.411739.007 заводской номер 224, ZIF-интерфейс (контактирующее устройство) на 1024 канала? 4. Соответствует ли тестовая система контроля интегральных схем
НЧ: исключить постоянную составляющую на выходе. - в установке «Электротехника и электроника» устранить выявленные неисправности и недостатки в схеме компенсационного стабилизатора в интегральном исполнении с напряжением стабилизации 8-12 В. - в установке «Электротехника и электроника» импульсный преобразовательпостоянного напряжения на МОП транзисторах доработать до исправного варианта,соответствующего требованиям Технического задания (Спецификации), и пригодного дляизучения студентами при выполнения исследовательской лабораторной работы. Вчастности, студенту необходимо исследовать зависимость выходного напряжения отскважности управляющих импульсов во всем диапазоне предполагаемых частот. - в установке «Электротехника и электроника» блок мультивибратора доработать до исправного варианта, соответствующего требованиям Технического задания (Спецификации). В частности, мультивибратор должен генерировать прямоугольные импульсы, соответствующие параметрам схемы мультивибратора и подаваемому напряжению питания. В блоке необходимо предусмотреть возможность изменения параметров мультивибратора, влияющих на частоту и скважность импульсов. - в установке «Электротехника и электроника» блок «Основы цифровой техники» переделать и привести в соответствие требованиям Технического задания (Спецификации). В частности: а) применить микросхемы схемотехники ТТЛ или ТТЛШ отечественных серий
